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Si2300DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.14
0.12
0.10
0.0 8
0.06
I D = 2.9 A
T J = 125 °C
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.04
T J = 25 °C
0.02
0.1
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
1.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μA
1.3
20
1.2
1.1
1.0
15
10
0.9
5
0. 8
0.7
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power
10
1
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
0.1
1s
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
Limited
10 s, DC
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 65701
S10-0111-Rev. A, 18-Jan-10
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